Перевод: с английского на все языки

со всех языков на английский

КМОП КНС

См. также в других словарях:

  • КМОП-микропроцессор с КНС-структурой — mikroprocesorius su jungtiniais MOP dariniais ant safyro statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. CMOS on sapphire microprocessor vok. komplementärer MOS/Silizium auf Saphir Mikroprozessor, m rus. КМОП микропроцессор с КНС структурой …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • технология КМОП-структур с КНС-структурой — jungtinių MOP darinių ant safyro technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. CMOS on sapphire process vok. komplementäre MOS Silizium auf Saphir Technologie, f rus. технология КМОП структур с КНС структурой, f pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • RCA 1802 — RCA CDP 1802. RCA (CDP) 1802 (также известен как RCA COSMAC, COSMAC 1802)  8 разрядный микропроцессор, представленный компанией Radio Corporation of America (RCA) весной 1976 года. В настоящее время пр …   Википедия

  • Кремний на изоляторе — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний д …   Википедия

  • SOI — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …   Википедия

  • Silicon on insulator — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …   Википедия

  • КНИ — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …   Википедия

  • Кремний на сапфире — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …   Википедия

  • CMOS-on-sapphire microprocessor — mikroprocesorius su jungtiniais MOP dariniais ant safyro statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. CMOS on sapphire microprocessor vok. komplementärer MOS/Silizium auf Saphir Mikroprozessor, m rus. КМОП микропроцессор с КНС структурой …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • komplementärer MOS/Silizium-auf-Saphir-Mikroprozessor — mikroprocesorius su jungtiniais MOP dariniais ant safyro statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. CMOS on sapphire microprocessor vok. komplementärer MOS/Silizium auf Saphir Mikroprozessor, m rus. КМОП микропроцессор с КНС структурой …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • microprocesseur CMOS sur saphir — mikroprocesorius su jungtiniais MOP dariniais ant safyro statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. CMOS on sapphire microprocessor vok. komplementärer MOS/Silizium auf Saphir Mikroprozessor, m rus. КМОП микропроцессор с КНС структурой …   Radioelektronikos terminų žodynas

Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»